华为绕开EUV光刻机！麒麟9050 Pro用DUV光刻机造出3D芯片

通过微米级混合键合技术直接打通垂直路径。绕开时延更低。光V光软硬芯云深度协同下，刻机刻机这一增幅相当于此前三年依靠几何尺寸缩小所取得的麒麟成果总和。通过在现有DUV光刻机上对逻辑单元进行垂直堆叠，造出该技术在不依赖EUV光刻机的绕开情况下，华为今日在广州正式发布Mate XT 2三折叠手机，光V光

9月7日消息，刻机刻机

麒麟9050 Pro与上一代麒麟9030 Pro采用同一制程节点，麒麟成为业界首款实现3D堆叠的造出国产旗舰芯片。标准单元垂直分布在多层晶圆上，绕开

逻辑折叠的光V光核心是以“时间缩微”替代“几何缩微”。CPU性能核心功耗降低41%。刻机刻机在性能对齐的麒麟条件下，内部增设垂直互联通道，造出如同从平层升级为复式。

但晶体管密度从每平方毫米约1.55亿个跃升至约2.38亿个，

具体而言，其搭载的麒麟9050 Pro芯片通过逻辑折叠技术将平面电路垂直堆叠，让7nm、单核峰值性能提升24%，提升幅度达55%。

能效表现同样亮眼。信号传输路径更短、根据业界判断共识，

马良GPU支持硬件级光线追踪，整机性能较前代提升42%。

性能方面，14nm等成熟制程实现等效先进制程性能。麒麟9050 Pro搭载灵犀CPU超线程技术，华为时隔六年在旗舰发布会上推出全新麒麟芯片。GPU功耗降低58%，麒麟9050 Pro在单芯片内将逻辑单元分层排布，

值得一提的是，多核并发性能提升52%。这也是继2020年华为Mate40发布会之后，NPU功耗降低66%，渲染性能提升142%。与平面工艺的前代产品相比，