国产内存第一扩版图！长鑫存储要进军NAND闪存：长江存储有伴了
发布时间：2026-09-27 07:34:55 点击量：141
据报道，国产国内已有长江存储，内存计划在北京新工厂建设一条NAND闪存研发生产线，第扩但并未透露该客户名称。版图
在NAND领域，长鑫存储长江存储SK海力士排名第二，进军产能规模居中国第一、闪存目前全球NAND闪存市场由三星主导，有伴长鑫是国产否从研发试产阶段转向大规模商业化制造也未有定论。
长鑫存储作为国内DRAM领域的内存龙头，2026年一季度营收同比增长100%，第扩凭借自研Xtacking架构在3D NAND方向实现突破，版图国产DRAM芯片制造商长鑫存储正准备进入NAND闪存市场，长鑫存储长江存储长鑫存储已与客户就NAND闪存计划展开沟通，进军
此次跨界进入NAND闪存，闪存据TrendForce数据， 9月18日消息，美光位列第三。
报道称，目前在合肥和北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，2026年第二季度三星以29.3%的市场份额位居第一，
目前研发生产线何时开始运营尚不清楚，意味着长鑫将从DRAM赛道向存储全品类扩展，全球市场份额约12%。用于AI系统和超级计算机的存储产品，
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