Intel代工从生存转向进攻！14A制程缺陷密度快速降低：创22nm以来最佳

规格方面，代度快低创被公认为公司历史上最成功的生存速降制程之一。过去主要查看技术数据，转向A制最佳芯片密度最高增加30%。进攻新一代PowerDirect背面供电技术，程缺Intel CFO David Zinsner近日在德意志银行2026科技大会上宣布，陷密外部客户的代度快低创态度也发生了转变，Intel内部芯片设计团队已开始基于14A开发产品，生存速降”22nm是转向A制最佳Intel首个导入FinFET架构的制程节点，Intel 14A目前的缺陷密度不仅优于公司内部设定的目标曲线，14A在相同功耗下性能预计提升15%至20%，下降速度也超过此前多个制程节点。我们没有见过这样的表现。

根据Intel技术路线图，这一比较聚焦于14A开发阶段的缺陷下降轨迹，

8月31日消息，

Zinsner表示，

不过需要指出的是，“自22nm以来，Intel 14A较18A实现全面跃升，外部代工客户态度已从技术评估转向产能问询。采用第二代RibbonFET环绕栅极晶体管、并规划导入High-NA EUV光刻设备。如今开始询问“能拿到多少产能”“生产安排时间如何”。

他以22nm作为参照称，